PMPAK5x6 ohišje s standardnim SO-8 podnožjem je združljivo z drugimi priljubljenimi ohišji za povečano porabo.
Podjetje Advanced Power Electronics Corp (USA), vodilni tajski proizvajalec MOS močnostnih polprevodnikov, predvsem za aplikacije DC-DC pretvorbe energije, je pred kratkim predstavil svoj nov AP1A003GMT-HF-3 močnostni MOSFET z zelo nizko prevodno upornostjo do največ 0,99mΩ. Namenjen je preklapljanju bremen, skozi katera teče visok tok, kjer se za zmanjšanje izgub med prevajanjem na MOSFET stikalu zahteva zelo nizek padec napetosti.
Vgrajujejo ga v PMPAK5x6 ohišje z vgrajeno ploščo za odvajanje toplote in s standardnim SO-8 podnožjem, ki je združljivo z ostalimi 5×6 mm ohišji za večje moči. Močnostni MOSFET AP1A003GMT-HF-3 ima preproste zahteve glede krmiljenja vrat, prebojno napetost 30 V in maksimalni tok prevajanja med virom in ponorom celih 260A!
Močnostni MOSFET AP1A003GMT-HF-3 je v celoti v skladu z zahtevami in ne vsebuje svinca ali halogenih elementov. Vzorci so že na voljo. Za več informacij si lahko prenesete datoteko s tehnično dokumentacijo, ki jo dobite na spletni strani: http://www.a-powerusa.com/docs/AP1A003GMT-3.pdf.
Novi visoko zmogljivi MOSFET-i z zelo nizko prevodno upornostjo
Advanced Power Electronics Corp. USA
