Diodes Incorporated
DMWS120H100SM4 je 1200V, N-kanalni MOSFET, skladen z industrijskimi zahtevami s silicijevim karbidom (SiC) v čipu in se nahaja v TO247-4 ohišju.
Omogoča visoko gostoto in učinkovitost v industrijskih krmilnikih motorjev, fotovoltaičnih energetskih sistemih, pretvornikih enosmernega toka ter napajalnikih za podatkovne centre in telekomunikacije. Nizka vrednost RDS(ON) teh tranzistorjev v kombinaciji z nizkim Qg pri 15 V, ki znaša 52 nC, omogoča razvijalcem sistemov, da povečajo učinkovitost pri čemer je disipacija energije na tranzistorju minimalna. TO247-4 ohišje vključuje dodaten Kelvinov priključek za zaznavanje na četrtem priključku, ki je povezan z virom tranzistorja in omogoča optimizacijo stikalne zmogljivosti. DMWS120H100SM4 izpolnjuje zahteve standarda AECQ101, izdelan je v certificiranih obratih IATF 16949 in je dimenzioniran na +150 ° C TJ .
Povzeto po:
https://www.diodes.com/part/view/DMWS120H100SM4/
