Skupina japonskih raziskovalcev je uspela izdelati elektronsko vezje, v katerem so organski tranzistorji izdelani na izjemno tanki osnovi le z uporabo tehnologije tiskanja. Skupino vodi Shizuo Tokito, profesor na Univerzi Yamagata in namestnika direktorja raziskovalnega centra za organsko elektroniko (ROEL). Teza o tej novi tehnologiji je bila objavljena v reviji Nature Communications.
Elektronsko vezje je bilo oblikovano na nosilni foliji debeline 1 µm, ki jo imenujejo „Parylene-C“. Debelina celotnega vezja je 2 um ali celo manj, njegova teža na enoto površine pa je 2 g na 1m2, kar je skoraj zanemarljivo.
Mobilnost nosilcev v organskem TFT v območju zasičenja je do 1.0cm2/Vs in razmerje med tokoma vklopa in izklopa je 106, kar je enako kot pri TFT, ki je izdelan iz amorfnega silicija (Si). Tudi ko takšno vezje prepognemo pod izredno ostrim kotom (polmer ukrivljenosti 140µm), se tok prevajanja in mobilnost nosilcev spremenita le za 1,6% oziroma 3,9%, v enakem zaporedju. Razmerje med tokom v prevodnem in neprevodnem stanju je 105 ali več.
Raziskovalna skupina pričakuje, da bo to elektronsko vezje uporabljeno za senzorje, ki so pritrjeni na človeško telo in se uporabljajo za zdravstvene namene. Namestiti jih je namreč mogoče na zahtevnih ukrivljenih površinah, kot so na primer na vratu in komolcu in kjer se neprestano upogibajo in raztezajo. Ko je bilo polje 400 organskih TFT izdelanih z novo tehnologijo na nosilcu, ki je meril 10 x 10 cm in so naključno izbrali eno četrtino tako izdelanih TFT za preverjanje, je bila mobilnost večine nosilcev v razponu od 0,34 ± 0.15cm2/Vs .
Na mednarodni konferenci o tehnologijah prikazovanja SID 2014, ki se je odvijala v juniju 2014 je Tokito objavil novico, da jim je uspelo izdelati matriko 10 x 10 organskih TFT na PEN lističu 32,5 x 32,5mm in debelino 125 µm. Takrat je bila mobilnosti nosilcev v TFT-jih v območju 1,1 ± 0.17cm2/Vs. Vir: http://techon.nikkeibp.co.jp/english/NEWS_EN/201 40702/362320/
Ultra-tanko organsko vezje izjemnih lastnosti
Nikkei Business Publications, Inc
