Cambridge GaN Devices
Podjetje Cambridge GaN Devices (CGD), podjetje brez tovarne rezin (angl. fabless), ki razvija energetsko učinkovite napajalne naprave na osnovi GaN, ki omogočajo bolj zeleno elektroniko, je razstavljalo na prestižnem kongresu in sejmu IEEE Energy Conversion Congress and Expo.
ECCE 2024, ki je potekal že 16. leto, sta sponzorirala IEEE Industrial Application Society (IAS) in IEEE Power Electronics Society (PELS). Dogodek še naprej raste tako po številu udeležencev kot po vsebini. ECCE 2024 je vključeval dvostranske povzetke raziskav Late Break Research Briefs, predstavitve prispevkov po revijah in standardne tehnične prispevke. Ponujal je tudi posebne seje o nastajajočih tehnologijah in industrijsko usmerjenih temah ter seveda vaje, ki so postale osnovni element tehničnega programa ECCE.
„Za CGD je pomembno, da širimo naše sporočilo, da je GaN prihodnost močnostne elektronike v smislu energetske učinkovitosti, gostote moči in najmanjšega ogljičnega odtisa ter da so naši ICeGaN® GaN močnostni integrirani čipi najbolj robustni in za uporabo najpreprostejši. Zato smo veseli, da bomo prvič razstavljali na sejmu ECCE,“ je dejal Andrea BricConi, glavni direktor za trženje v podjetju CGD.
CGD je na dogodku prikazal številne demonstracije, ki uporabljajo ICeGaN, med drugim:
3 kW PFC referenčni design;
razvojni komplet za motorne pogone QORVO, razvit v sodelovanju s podjetjem CGD in z uporabo ICeGaN
tanek 100W adapter;
pol-mostič, polni-mostič in tudi ICeGaN v paralelnih razvojnih ploščah;
300W PFC+LLC ;
eno vejo 3-fazne razvojne plošče avtomobilskega pretvornika, ki je bil razvit v sodelovanju s francoskim R&I inštitutom, IFP Energies nouvelles (IFPEN);
primerjava ICeGaN proti diskretnim GaN vezjem v polmostični vezavi
O podjetju Cambridge GaN Devices (CGD)
Podjetje Cambridge GaN Devices (CGD) oblikuje, razvija in trži GaN tranzistorje in integrirana vezja, ki omogočajo korenito spremembo energetske učinkovitosti in kompaktnosti. Njihovo poslanstvo je uvesti inovacije v vsakdanje življenje z zagotavljanjem energetsko učinkovitih rešitev GaN brez napora. Tehnologija ICeGaNÒ podjetja CGD je dokazano primerna za velikoserijsko proizvodnjo, podjetje pa hitro povečuje obseg proizvodnje in vzpostavlja partnerstva s strankami. Podjetje CGD, ki nima tovarne rezin, je bilo ustanovljeno na Univerzi v Cambridgeu, njegova ustanovitelja, izvršna direktorica Dr. Giorgia Longobardi in tehnični direktor, profesor Florin Udrea, pa sta še vedno močno povezana s svetovno znano skupino za visokonapetostno mikroelektroniko in senzorje (HVMS) na tej univerzi. CGD-jeva tehnologija ICeGaN HEMT je zaščitena z močnim in stalno rastočim portfeljem intelektualne lastnine, ki je rezultat zavezanosti podjetja k inovacijam. Tehnično in komercialno strokovno znanje ekipe CGD skupaj z obsežnimi izkušnjami na trgu močnostne elektronike je bilo temeljnega pomena za tržno uveljavitev njene lastniške tehnologije.
