Podjetjeonsemi (Nasdaq: ON), vodilno podjetje na področju inteligentnih tehnologij napajanja in zaznavanja, je predstavilo novo vrsto izjemno učinkovitih 1200-voltnih bipolarnih tranzistorjev z izoliranimi vrati (IGBT), ki zmanjšujejo prevodne in stikalne izgube na ravni zmogljivosti, ki je vodilna na trgu.
Onsemi
Novi tranzistorji, ki so namenjeni izboljšanju učinkovitosti v aplikacijah za hitro preklapljanje, se bodo uporabljali predvsem v aplikacijah energetske infrastrukture, kot so solarni pretvorniki, viri neprekinjenega napajanja (UPS), shranjevanje energije in pretvorba energije za polnjenje električnih vozil.
Novi 1200-voltni IGBT-ji Trench Field Stop VII (FS7) [1] se uporabljajo za povečanje vhodne napetosti na visoko napetost (“Boost” stopnja) in kot inverter za zagotavljanje izmeničnega izhodnega toka v aplikacijah energetske infrastrukture z visoko stikalno frekvenco. Nizke preklopne izgube FS7 naprav omogočajo višje preklopne frekvence, ki zmanjšujejo velikost magnetnih komponent, povečujejo gostoto moči in zmanjšujejo stroške sistema. Pri visokozmogljivih aplikacijah energetske infrastrukture pozitivni temperaturni koeficient FS7 naprav omogoča enostavno vzporedno delovanje.
“Ker je učinkovitost izjemno pomembna pri vseh aplikacijah energetske infrastrukture z visoko stikalno frekvenco, smo se osredotočili na zmanjšanje stikalnih izgub pri izklopu in zagotavljanje najboljše stikalne zmogljivosti v tej novi seriji IGBT,” je dejal Asif Jakwani, višji podpredsednik in generalni direktor oddelka Advanced Power Division, ki je del skupine Power Solutions Group pri onsemi podjetju. “Ta vrhunska zmogljivost omogoča oblikovalcem, da izpolnijo najzahtevnejše zahteve glede učinkovitosti v zelo zahtevnih aplikacijah energetske infrastrukture z visoko močjo.”
FS7 naprave vsebujejo hitre (serija S) in srednje hitre (serija R) naprave. Vse naprave vključujejo optimizirano diodo za nizko VF, uglašen in mehak preklop in lahko delujejo pri temperaturah spoja (TJ) do 175 °C. Naprave serije S, kot je FGY75T120SWD [2], ponujajo najboljšo stikalno zmogljivost med trenutno razpoložljivimi 1200 V IGBT na trgu. Ta zelo robustna IGBT platforma, preizkušena s tokovi do sedemkratnika nazivne vrednosti, ponuja tudi najboljšo odpornost proti zaklepu (angl. latch-up) v svojem razredu. Serija R je optimizirana za srednje hitre stikalne aplikacije, kot so krmiljenje motorjev in polprevodniški releji, pri katerih prevladujejo prevodne izgube. FGY100T120RWD [3] kaže VCESAT že pri 1,45 V pri 100 A, kar pomeni izboljšanje za 0,4 V v primerjavi z napravami prejšnje generacije.
Naprave FS7 so na voljo [4] v različnih oblikah ohišij, kot so TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L in kot gole rezine, kar oblikovalcem omogoča prilagodljivost in možnosti načrtovanja.
O podjetju onsemi
Podjetje onsemi (Nasdaq: ON) spodbuja revolucionarne inovacije, ki pomagajo graditi boljšo prihodnost. Podjetje se osredotoča na avtomobilske in industrijske končne trge ter pospešuje spremembe na področju megatrendov, kot so elektrifikacija in varnost vozil, trajnostna energetska omrežja, industrijska avtomatizacija ter 5G infrastruktura in storitve v oblaku. Podjetje onsemi ponuja zelo diferenciran in inovativen portfelj izdelkov, ki zagotavljajo inteligentne tehnologije za napajanje in zaznavanje, s katerimi rešuje najzahtevnejše svetovne izzive ter je vodilno pri ustvarjanju varnejšega, čistejšega in pametnejšega sveta.
Podjetje onsemi je priznano kot podjetje iz Fortune 500® in vključen v indeks S&P 500®. Več o podjetju onsemi si lahko preberete na spletni strani www.onsemi.com.
Viri:
1: https://bit.ly/3ZJ64ig
2: https://bit.ly/3KqBkgy
3: https://bit.ly/3mho1XA
4: https://bit.ly/3zEYuKZ
