Robert Bosch GmbH
V svetovno proizvodno mrežo so vložili milijarde.
Dr. Markus Heyn: »Našim strankam pomagamo, da na ceste pripeljejo še zmogljivejše in učinkovitejše električne avtomobile.«
SiC čipi nove generacije podjetja Bosch zagotavljajo za 20 odstotkov večjo zmogljivost, s čimer povečujejo splošno učinkovitost pogonske elektronike.
Bosch si prizadeva postati vodilni svetovni proizvajalec SiC čipov za elektromobilnost.
Od začetka proizvodnje leta 2021 je podjetje Bosch po vsem svetu že dobavilo več kot 60 milijonov SiC čipov.
Čipi iz silicijevega karbida (SiC) so ključnega pomena za večjo učinkovitost električnih avtomobilov in povečanje njihovega dosega. Podjetje Bosch je razvoj teh čipov zdaj popeljalo na novo raven: začelo je uvajati čipe iz silicijevega karbida tretje generacije in svetovnim avtomobilskim proizvajalcem dobavlja vzorce. To pomeni, da bo v prihodnosti vedno več električnih vozil opremljenih z najsodobnejšimi SiC čipi tretje generacije podjetja Bosch. »Polprevodniki iz silicijevega karbida so ključni dejavniki elektromobilnosti. Uravnavajo pretok energije in zagotavljajo čim večjo učinkovitost.« »Z našimi SiC čipi nove generacije sistematično širimo naše tehnološko vodstvo na tem področju in našim strankam pomagamo, da na ceste pripeljejo še zmogljivejša in učinkovitejša električna vozila,« pravi Markus Heyn, član uprave podjetja Bosch in predsednik poslovnega sektorja Bosch Mobility. »Naša ambicija je jasna: želimo postati vodilni svetovni proizvajalec SiC čipov.«
Bosch se tako uveljavlja na obetavnem trgu z visoko rastjo. Analize podjetja za tržne raziskave in svetovanje Yole Intelligence* napovedujejo, da bo svetovni trg močnostnih SiC polprevodnikov zrasel z 2,3 milijarde ameriških dolarjev v letu 2023 na približno 9,2 milijarde ameriških dolarjev do leta 2029, kar bo v glavnem posledica razvoja elektromobilnosti.
V svetovno proizvodno mrežo so vložili milijarde
Polprevodniki iz silicijevega karbida delujejo veliko hitreje in učinkoviteje kot običajni silicijevi čipi. Zmanjšujejo izgube energije in omogočajo večjo gostoto moči v elektroniki. Polprevodniki nove generacije podjetja Bosch ponujajo ne le tehnološko, temveč tudi ekonomsko prednost. »Naši čipi nove generacije zagotavljajo za 20 odstotkov večjo zmogljivost in so tudi precej manjši od prejšnje generacije,« pravi Heyn. »Ta miniaturizacija je ključ do večje stroškovne učinkovitosti, saj lahko na eni ploščici proizvedemo veliko več čipov. To pomeni, da imamo ključno vlogo pri širjenju dostopnosti visokozmogljive elektronike.« Odkar se je leta 2021 začela serijska proizvodnja prve generacije čipov, je Bosch po vsem svetu že dobavil več kot 60 milijonov SiC čipov.
V zadnjih letih je podjetje Bosch pospešilo razvojno delo na področju SiC čipov in hkrati povečalo svoje proizvodne zmogljivosti ter zmogljivosti čistih prostorov. V okviru evropskih programov financiranja IPCEI (pomembni projekti skupnega evropskega interesa) za mikroelektroniko in komunikacijsko tehnologijo je podjetje v polprevodnike vložilo okoli 3 milijarde evrov. V svoji tovarni rezin v nemškem Reutlingenu razvija in proizvaja SiC čipe tretje generacije na sodobnih 200-milimetrskih rezinah. Septembra 2023 je Bosch pridobil drugi obrat za proizvodnjo SiC čipov v Rosevillu v Kaliforniji in ga trenutno opremlja z najsodobnejšimi, zahtevnimi proizvodnimi napravami. Podjetje vlaga dodatnih 1,9 milijarde evrov v obrat v ZDA, ki bo letos proizvedel in dobavil prve SiC čipe – sprva kot vzorce za preskuse strank. »V prihodnosti bo Bosch svoje inovativne SiC čipe dobavljal iz teh dveh proizvodnih obratov v Nemčiji in ZDA,« pravi Heyn. To bo prispevalo k bolj trdnim in odpornim dobavnim verigam v okviru hitro rastoče elektrifikacije avtomobilske industrije. Srednjeročno namerava Bosch svoje proizvodne zmogljivosti za SiC močnostne polprevodnike povečati na obseg v višini več sto milijonov enot.
Edinstveni »Boschev postopek« je ključ do uspeha
Podjetje Bosch s pomočjo edinstvenega proizvodnega znanja izdeluje čipe, ki so hkrati manjši in zmogljivejši. Podjetje je prilagodilo svoj postopek jedkanja, ki se uporablja že od leta 1994 in je v industriji znan kot »Boschev postopek«. Ta postopek, ki je bil prvotno razvit za senzorje, omogoča izdelavo zelo natančnih vertikalnih struktur iz silicijevega karbida. Ta zasnova znatno poveča gostoto moči čipov – odločilni dejavnik za vrhunsko zmogljivost tretje generacije.
*Power SiC 2024 poročilo, Yole Intelligence, 2024
