Toshiba
Toshiba širi ponudbo 40-voltnih MOSFET-ov z N-kanalom, ki ustrezajo standardu AECQ101, v majhnem ohišju S-TOGL z izboljšano toplotno prevodnostjo.
Omogoča kompaktno vgradnjo z visoko gostoto in izboljšano odvajanje toplote, s čimer se zmanjša velikost avtomobilske opreme in izboljša učinkovitost sistema.
Podjetje Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) je na trg uvedlo model XPJ1R504PB, avtomobilski 40-voltni N-kanalni močnostni MOSFET z zmogljivostjo 120 A v ohišju STOGL™, s čimer je razširilo svojo ponudbo za 12-voltne sisteme. Med ciljne aplikacije spadajo inverterji, polprevodniški releji, močnostna stikala in pogoni motorjev. Z vključitvijo tega 40-voltnega MOSFET-a v obstoječo ponudbo v STOGL™ ohišju, ki vključuje modela XPJR6604PB in XPJ1R004PB, je Toshiba razširila svojo ponudbo izdelkov, da bi zadovoljila različne aplikacije in zahteve glede zmogljivosti.
V zadnjih letih se je z napredkom elektrifikacije avtomobilske opreme povečala uporaba inverterjev in pogonov motorjev, kar je prispevalo k višji moči in večji učinkovitosti. Da bi se prilagodili tem trendom, morajo MOSFET-i zagotavljati tako nizke izgube moči kot tudi učinkovito odvajanje toplote. Model XPJ1R504PB v ohišju S-TOGL omogoča kompaktno vgradnjo z visoko gostoto in odlične toplotne lastnosti, s čimer zmanjšuje velikost avtomobilske opreme in izboljšuje učinkovitost.
Ker ta vrsta avtomobilske opreme deluje v širokem razponu temperaturnih pogojev, je zanesljivost spajkanih spojev ključnega pomena. Ohišje STOGL uporablja priključke v obliki galebjih kril, ki pomagajo razbremeniti stres pri vgradnji in s tem izboljšajo mehansko zanesljivost spajkanih spojev. Poleg tega ima ohišje konstrukcijo brez priključkov na vir tranzistorja, ter zunanje priključke, s čimer se zmanjša parazitska upornost in doseže upornost v prevodnem stanju (RDS(ON)) 1,54 mΩ (maks.) pri napetosti med vrati in virom (VGS) 10 V.
Uporaba debelega bakrenega okvirja v STOGL ohišju zniža prehodno toplotno impedanco med kanalom in ohišjem (Zth(ch-c)) na 0,76 °C/W, s čimer se zmanjšajo izgube zaradi prevajanja toplote in omeji nastajanje toplote, kar izboljša splošno učinkovitost sistema. Poleg tega struktura z večjim številom izhodnih priključkov izboljša porazdelitev toka in omogoča visoko tokovno zmogljivost.
Toshiba bo še naprej razvijala avtomobilske MOSFET izdelke, prilagojene različnim uporabam in sistemskim zahtevam, s čimer bo prispevala k večji učinkovitosti.
Več informacij o modelu XPJ1R504PB najdete na spletni strani Toshibe: XPJ1R504PB | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | Evropa (EMEA) [1].
