Toshiba
Nahajajo sev novem ohišju, ki prispeva k visokemu odvajanju toplote in zmanjšanju velikosti avtomobilske opreme.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba“) je predstavila dva avtomobilska 40V N-kanalna močnostna MOSFET-a, “XPJR6604PB“ [1] in “XPJ1R004PB“ [2], ki uporabljata Toshibino novo ohišje S-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) s čipi U-MOS procesa IX-H. Naročanje teh izdelkov je že možno.
Varnostno kritične aplikacije, kot so sistemi avtonomne vožnje, zagotavljajo zanesljivost z redundantno zasnovo, zato vključujejo več naprav in zahtevajo več prostora za namestitev kot standardni sistemi. Zato je za nadaljnje zmanjševanje velikosti avtomobilske opreme treba uporabiti močnostne MOSFET tranzistorje, ki jih je mogoče uporabiti pri visokih tokovih.
XPJR6604PB in XPJ1R004PB uporabljata Toshibino novo ohišje S-TOGL™ (7,0 mm × 8,44 mm[1]), ki ima strukturo brez stebričkov in združuje priključni del vira in zunanje vodnike. Struktura z več priključki za priključke vira (source) zmanjšuje upornost ohišja.
Kombinacija S-TOGL™ ohišja in Toshibinega postopka U-MOS IX-H omogoča znatno zmanjšanje upornosti v primerjavi s Toshibinim ohišjem TO-220SM (W)[2], ki ima enake značilnosti toplotne upornosti, in sicer za 11 %. Novo ohišje prav tako zmanjšuje zahtevano površino za montažo za približno 55 % v primerjavi z ohišjem TO-220SM(W). Poleg tega ima novo ohišje 200 A tok ponora, ki je večji od Toshibinega ohišja DPAK+ podobne velikosti (6,5 mm × 9,5 mm[1]), kar omogoča velik tok. Na splošno S-TOGL™ ohišje omogoča visoko gostoto in kompaktno postavitev, zmanjšuje velikost avtomobilske opreme in prispeva k hitremu odvajanju toplote.
Ker se avtomobilska oprema uporablja v ekstremnih temperaturnih okoljih, je zanesljivost spajkanih spojev za površinsko montažo ključnega pomena. V S-TOGL™ ohišju so uporabljeni vodniki z bočnimi krili, ki zmanjšujejo napetost pri montaži in izboljšujejo zanesljivost spajkalnega spoja.
Glede na to, da bo za aplikacije, ki zahtevajo delovanje z večjim tokom, vzporedno povezanih več naprav, Toshiba za nove izdelke podpira pošiljanje po skupinah [3], pri čemer se za grupiranje uporablja napetost praga vrat. To omogoča zasnove z uporabo skupin izdelkov z majhnim odstopanjem karakteristik.Toshiba bo še naprej širila svojo paleto izdelkov za močnostne polprevodnike in prispevala k uresničevanju ogljične nevtralnosti z uporabniku prijaznejšimi in zmogljivejšimi močnostnimi elementi.
Povzeto po:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2023/08/automotive-20230817-1.html
Viri:
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=XPJR6604PB
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=XPJ1R004PB
Toshiba lahko ponudi skupinsko pošiljanje, pri katerem je razpon napetosti praga vrat 0,4 V za vsak kolut. Vendar določanje določene skupine ni mogoče. Za več podrobnosti se obrnite na Toshibine prodajne predstavnike.
