Infineon postavlja nove standarde na področju močnostnih polprevodnikov z novo tehnologijo integriranih vezij IGBT5 čip in tehnologijo sestavljanja ter povezovanja .XT.
Najpomembnejši značilnosti nove generacije PrimePACKTM s tehnologijo IGBT5 iz podjetja Infineon sta robustno ohišje in povečana gostota moči. Možna področja uporabe segajo od obnovljive energije do pogonov za črpalke in ventilatorje.
Pri distribuciji in dobavi električne energije ter vseh drugih industrijskih aplikacijah je zahtevana visoka stopnja zanesljivosti in dolga življenjska doba komponent. Poleg tega od posameznih komponent pričakujemo vedno boljše vrednosti energetske učinkovitosti. Nove enote PrimePACKTM s tehnologijo IGBT5 na te zahteve odgovarjajo s tokovno zmogljivostjo do 1800 A – kar 400 A več kot pri prejšnji generaciji in to pri enaki velikosti ohišja. Na voljo so za napetostna razreda 1200 in 1700 V, tako da dopolnjujejo obstoječo ponudbo družine izdelkov PrimePACKTM.
Tehnologija integriranih vezij IGBT5 v primerjavi s tehnologijo IGBT4
Tako kot integrirana vezja IGBT4 tudi nova integrirana vezja IGBT5 temeljijo na tehnologiji Trench Field Stop. Tehnologija IGBT5 pa ima tanjšo dejavno plast silicija, kar pomeni nižje statične in dinamične izgube. To so dosegli z novimi materiali in kombinacijami materialov. Integrirana vezja in diode IGBT5 se namestijo s postopkom sintranja. Čelna stran integriranega vezja IGBT5 je opremljena z debelo plastjo bakra.
Pri proizvodnji novih močnostnih enot so v podjetju Infineon kombinirali tehnologijo integriranih vezij IGBT5 s tehnologijo sestavljanja in povezovanja .XT. Ta namesto običajnih aluminijastih povezovalnih žic uporablja bakrene. Kombinacija pokovinjanja integriranega vezja z bakrom in uporabe bakra za povezovanje zagotavlja večjo zanesljivost sistema.
Termalne lastnosti
Prednosti tehnologije integriranega vezja IGBT5 v kombinaciji s tehnologijo sestavljanja in povezovanja .XT pomenijo, da je možna višja temperatura spoja Tj,op,maks = 175 °C. To hkrati pomeni boljšo zmogljivost sistema in daljšo življenjsko dobo. Pomemben dejavnik so dinamične stikalne izgube. Na tem področju dosega različica PrimePACKTM 1700-V-P5 za približno 30 % višjo gostoto toka kot pri prejšnji različici 1700-V-P4 (tabela 1). Podatki temeljijo na istih osnovnih površinah ohišja PrimePACKTM. Upoštevati je treba tudi za 25 K višjo temperaturo spoja z nižjimi stikalnimi izgubami na amper (Esw/A) pri modelih IGBT5 v primerjavi z modeli IGBT4.
Podjetje Infineon kombinira tehnologijo integriranih vezij IGBT5 s tehnologijo sestavljanja in povezovanja .XT v ohišju PrimePACKTM. Teh dveh tehnologij in ohišja pa ni mogoče kombinirati ločeno, z modularno zasnovo.
Infineon postavlja nove standarde na področju močnostnih polprevodnikov
RUTRONIK, elektronski gradbeni elementi,
Podružnica v Ljubljani
Motnica 5, 1236 Trzin, Slovenia
Tel. +386 1 561 09-80
2016_SE245_22