Navitas
Svetovno vodilna zmogljivost glede na temperaturo omogoča hladno delovanje, hitro preklapljanje 650 V in 1200 V SiC MOSFET za podporo do 3-krat zmogljivejših podatkovnih centrov umetne inteligence in hitrejšega polnjenja električnih vozil.
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), vodilno podjetje na področju naslednje generacije galij nitridnih (GaN) in polprevodnikov iz silicijevega karbida (SiC) GaNFast™, objavlja svoj novi portfelj hitrih (G3F) SiC MOSFET-ov Gen-3 (650 V in 1.200 V), optimiziranih za najvišjo stikalno hitrost, najvišjo učinkovitost in večjo gostoto moči za aplikacije, kot so napajalniki za podatkovne centre umetne inteligence, polnilniki na vozilu, hitri cestni polnilniki za električna vozila ter solarni sistemi in sistemi za shranjevanje energije. Široka paleta ponudbe zajema industrijska standardna ohišja od D2PAK-7 do TO-247-4, zasnovana za zahtevne aplikacije z visoko močjo in zanesljivostjo.
Družina G3F je optimizirana za zelo hitro preklapljanje, kar omogoča 40-odstotno izboljšanje vrednosti preklapljanja v primerjavi s konkurenčnimi sistemi CCM TPPFC. To bo omogočilo povečanje moči napajalnih enot (PSU) naslednje generacije AI do 10 kW in povečanje moči na omaro s 30 kW na 100-120 kW.
G3F GeneSiC MOSFET-i so razviti s patentirano tehnologijo „trench-assisted planar“ in ponujajo boljšo zmogljivost kot trench MOSFET-i, hkrati pa zagotavljajo boljšo robustnost, proizvodno zmogljivost in ceno kot konkurenca. G3F MOSFET-i zagotavljajo visoko učinkovitost z visoko hitrostjo, omogočajo do 25 °C nižjo temperaturo ohišja in do 3-krat daljšo življenjsko dobo kot SiC izdelki drugih proizvajalcev.
Tehnologija „trench-assisted planar“ omogoča izjemno nizko povečanje RDS(ON) glede na temperaturo, kar ima za posledico najnižje izgube moči v celotnem območju delovanja in ponuja do 20 % nižji RDS(ON) pri realnem delovanju pri visokih temperaturah v primerjavi s konkurenco.
Poleg tega imajo vsi MOSFET-i GeneSiC najvišjo objavljeno 100-odstotno preizkušeno plazovito zmogljivost, 30 % daljši čas vzdržljivosti kratkega stika in tesne porazdelitve napetosti praga za enostavno vzporejanje, zato so MOSFET-i GeneSiC idealni za visokozmogljive aplikacije, ki jih je treba hitro lansirati na trg.
Navitasov najnovejši referenčni napajalnik z visoko gostoto moči 4,5 kW za AI strežnike v obliki CRPS185 prikazuje G3F FET-e z napetostjo 650 V in 40 mOhmov za PFC topologijo z izmeničnim CCM TP krmiljenjem. Skupaj z napajalnimi integriranimi vezji GaNSafe™ v LLC enoti je dosežena gostota moči 138 W/inch3 in največja učinkovitost nad 97 %, kar zlahka dosega standarde učinkovitosti „Titanium Plus“, ki so zdaj obvezni v Evropi.
Za trg električnih vozil 1.200 V/34 mOhm (G3F34MT12K) G3F FET omogočajo, da Navitasov novi 22 kW, 800V dvosmerni OBC in 3 kW DC-DC pretvornik dosegata vrhunsko gostoto moči 3,5 kW/L in največjo učinkovitost 95,5 %.
„G3F postavlja nove standarde za učinkovito, hladno delovanje SiC skupaj z visoko zanesljivostjo in robustnostjo za visokozmogljive sisteme z visokimi obremenitvami,“ je dejal Dr. Sid Sundaresan, višji podpredsednik za tehnologijo in delovanje SiC. „S hitrostjo preklopa do 600 kHz in do 40 % boljšimi vrednostmi trdega preklopa od konkurence premikamo meje tehnologije SiC.“
Izdelki so kvalificiranim strankam na voljo že zdaj. Za več informacij se obrnite na sicsales@navitassemi.com.
O podjetju Navitas
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) je edino podjetje za polprevodnike naslednje generacije, ki je bilo ustanovljeno leta 2014 in praznuje 10 let inovacij na področju napajanja. GaNFast™ močnostni čipi narejeni na osnovi galijevega nitrida (GaN) združujejo napajanje in krmiljenje z nadzorom, zaznavanjem in zaščito ter tako omogočajo hitrejše polnjenje, večjo gostoto moči in večje prihranke energije. Dopolnilne napajalne naprave GeneSiC™ so optimizirane rešitve iz silicijevega karbida (SiC) z visoko močjo, visoko napetostjo in visoko zanesljivostjo. Osrednji trgi vključujejo električna vozila, sončno energijo, shranjevanje energije, gospodinjske aparate / industrijo, podatkovne centre, mobilne naprave in potrošnike. Več kot 250 Navitasovih patentov je izdanih ali v obravnavi. Navitas je bilo prvo polprevodniško podjetje na svetu, ki je pridobilo certifikat CarbonNeutral®.
Navitas Semiconductor, GaNFast, GaNSense, GeneSiC in logotip Navitas so blagovne znamke ali registrirane blagovne znamke družbe Navitas Semiconductor Limited in njenih podružnic. Vse druge blagovne znamke, imena izdelkov in znaki so ali so lahko blagovne znamke ali registrirane blagovne znamke, ki se uporabljajo za označevanje izdelkov ali storitev njihovih lastnikov.
Povzeto po:
https://navitassemi.com/navitas-gen-3-fast-sic-mosfets-accelerate-next-gen-ai-growth-ev-charging/
https://navitassemi.com
