Nov MOSFET z vgrajeno Schottky diodo

ON Semiconductor je razširil svojo ponudbo izdelkov z N-kanalnim močnostnim MOSFET-om z uvajanjem novih 30 V izdelkov z integrirano Schottky diodo.

NTMFS4897NF, NTMFS4898NF in NTMFS4899NF imajo največjo RDS _(on) vrednosti 2 mΩ, 3 mΩ oziroma 5 mΩ pri 10 V, ki je optimizirana za sinhrono stran v aplikacijah buck stikalnih pretvornikov za doseganje večje energijske učinkovitosti. Tipične specifikacije za porabo na vratih za 39,6 nC, 25,6 oziroma 12,2 nC nC (pri VGS = 4,5 V) zagotavljajo, da so stikalne izgube minimalne.

Tipične aplikacije za uporabo novih močnostnih MOSFET-ov vključujejo DC-DC pretvorbo, point-of-load pretvorbe in nizkonapetostna stikalna opravila pri strežnikih, telekomunikacijski omrežni infrastrukturi, osebnih računalnikih, prenosnih računalnikih in igralnih konzolah.

»Integrirana Schottky dioda izboljšuje učinkovitost in obliko signalov z zmanjšanjem izgub v času dead-time prevajanja z vključevanjem diode v isti polprevodniški kristal, ki je osnova tudi primarni strukturi FET-a,« je povedal Paul Leonard, podpredsednik in generalni direktor poslovne enote Power MOSFET na ON Semiconductor. »Z novimi produkti zagotavljamo našim kupcem širšo paleto izdelkov in možnosti, s katerimi se lahko uspešno spopadejo z izzivom originalne zasnove izdelka.«