Infineon Technologies AG
Podjetje VMAX, vodilni kitajski proizvajalec močnostne elektronike in motornih pogonov za vozila na novo energijo, je za svojo naslednjo generacijo 6,6 kW OBC/DCDC polnilnikov na vozilu izbralo nov hibridni diskretni sistem CoolSiC™ s hitro preklopnim IGBT TRENCHSTOP™ 5 in Schottkyjevo diodo CoolSiC podjetja Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY).
Infineonove komponente so v ohišju D²PAK in združujejo izjemno hitre IGBT-je TRENCHSTOP 5 s SiC Schottkyjevimi diode, da bi dosegli odlično razmerje med ceno in zmogljivostjo za trde in mehke topologije preklopa. Napajalne naprave so s svojo vrhunsko zmogljivostjo, optimizirano gostoto moči in vrhunsko kakovostjo idealne za VMAX-ove polnilnike na vozilu.
“Ponosni smo, da smo za naslednjo generacijo OBC izbrali Infineonove CoolSiC Hybrid tranzistorje, s katerimi smo dosegli večjo zanesljivost, stabilnost, izboljšano zmogljivost in gostoto moči. S tem poglabljamo že tako močno partnerstvo z Infineonom in s tesnim sodelovanjem spodbujamo tehnološke inovacije na področju aplikacij ter skupaj spodbujamo uspešen razvoj vozil na novo energijo,” je dejal Jinzhu Xu, direktor PL in glavni inženir oddelka za raziskave in razvoj pri podjetju VMAX.
“Veseli nas, da bomo lahko okrepili partnerstvo z družbo VMAX z našimi visoko učinkovitimi hibridnimi izdelki,” je dejal Robert Hermann, podpredsednik za avtomobilske visokonapetostne čipe in diskretne komponente pri podjetju Infineon. “Skupaj bomo še naprej spodbujali napredek na področju e-mobilnosti in zagotavljali učinkovite rešitve, ki izpolnjujejo zahteve industrije glede zmogljivosti, kakovosti in stroškov sistema.”
S hitrim, močnostnim preklopnim IGBT TRENCHSTOP 5 650 V, ki je skupaj s Schottkyjevo diodo CoolSiC brez reverznega obnavljanja, ima hibridni diskretni element zelo majhne stikalne izgube pri hitrostih preklopa nad 50 kHz. Zato je to odlična izbira za visokozmogljive sisteme za polnjenje električnih vozil. Poleg tega robustna Schottkyjeva dioda CoolSiC 5. generacije zagotavlja večjo odpornost proti prenapetostnim sunkom, kar povečuje zanesljivost. Poleg tega je difuzijsko spajkanje SiC diode izboljšalo toplotno upornost (Rth) do ohišja za majhne velikosti čipov, zaradi česar se je povečala zmogljivost preklopa. S temi lastnostmi omogoča optimalno zanesljivost in dolgo življenjsko dobo sistema ter izpolnjuje stroge zahteve avtomobilske industrije. Za še večjo združljivost z obstoječimi zasnovami ima izdelek tudi zasnovo, ki je združljiva s pin-to-pin in temelji na široko uporabljenem D²PAK ohišju.
Razpoložljivost
CoolSiC™ Hybrid Discrete s hitrim preklopom IGBT TRENCHSTOP™ 5, skupaj s CoolSiC™ Schottkyjevo diodo G5, je zdaj na voljo.
Več informacij je na voljo na spletni strani:
www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/coolsic-hybrid-devices/hybrid-discretes/aikbe50n65rf5/.
Povzet po:
https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2024/INFATV202402-058.html
