Toshiba
Optimizirana zasnova vrat in kompaktna izvedba bodo inženirjem pomagali zmanjšati velikost končne opreme in izboljšati učinkovitost.
Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) predstavlja 600-voltni N-kanalni super spojni močnostni MOSFET narejen v procesu DTMOSVI 600V, nameščen v kompaktnem DFN8×8 ohišju. TK057V60Z ponuja napetost med ponorom in virom (VDSS) 600 V z zmogljivostjo toka ponora (ID) do 40 A. Tipična upornost med ponorom in virom (RDS(ON)) je samo 0,047 Ω (največ 0,057 Ω), tipični naboj med vrati in ponorom (Qgd) pa je lahko samo 15 nC. Visoko učinkovita naprava in kompaktno ohišje zagotavljata največjo gostoto moči v industrijski opremi. Uporablja se v preklopnih napajalnikih za strežnike podatkovnih centrov, neprekinjenih napajalnikih in fotovoltaičnih napajalnikih. V seriji DTMOSVI 600V, ki vključuje TK057V60Z, je Toshiba optimizirala zasnovo vrat in proizvodni proces, da je dosegla približno 36-odstotno zmanjšanje vrednosti FoM (figure-of-merit), opredeljene kot RDS(ON) x Qg, in približno 52-odstotno zmanjšanje RDS(ON) x Qdg v primerjavi z obstoječo generacijo serije DTMOSIV-H z enako nazivno napetostjo. Te izboljšave zmanjšujejo izgube pri prevajanju, pogonu in preklapljanju, kar znatno izboljša učinkovitost napajalnih vezij. Poleg tega uporaba majhnega DFN8×8 ohišja za vgradnjo na površino inženirjem omogoča zmanjšanje velikosti končne opreme. Kelvinov priključek vira omogoča ustrezno krmiljenje vrat in pomaga preprečiti vpliv parazitske induktivnosti na priključek ponora.
Toshiba ponuja orodja, ki podpirajo načrtovanje vezij za stikalne napajalnike. Poleg modela G0 SPICE, ki hitro preveri delovanje vezja, so zdaj na voljo tudi zelo natančni modeli G2 SPICE [1], ki natančno reproducirajo prehodne lastnosti.
Toshiba bo nadaljevala s širitvijo svoje ponudbe izdelkov serije DTMOSVI 600V, da bi izboljšala učinkovitost napajalnikov v industrijski opremi.
Povzeto po:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/company/news/2025/11/mosfet-20251127-1.html
