Beseda »transistor« je kratica, ki je nastala s kombinacijo besed Transfer Varistor. Ta besedna zveza se je uporabljala za opis načina njihovega delovanja v zgodnjem obdobju njihovega razvoja. Obstajata dve osnovni vrsti zgradbe bipolarnih tranzistorjev – NPN in PNP tip, ki pravzaprav opisuje razporeditev polprevodniškega material P in N tipa znotraj tranzistorja.
(Bipolarni) tranzistorji so lahko ojačevalniki oziroma regulatorji toka ali sedanjih naprav, ki lahko uravnavajo količino toka, ki teče skoznje v sorazmerju s tokom, ki teče na baznem priključku. Načelo delovanja obeh vrst, NPN in PNP tranzistorja je popolnoma enako, razlika je le v smeri baznega (in kolektorskega) toka ter polariziranosti napajanja. V današnjem pogovornem jeziku ne uporabljamo besede »Bipolarni«, ker se je za bipolarni tranzistor (kratica BJT – Bipolar Junction Transistor) ustalil le izraz »tranzistor«, kar je ves čas pomenilo »Bipolarni tranzistor«. Vse kasnejše izvedbe tranzistorjev so dobile svoje kratice, po katerih jih poznamo (UJT, PUT, FET, MOSFET, IGBT). Prvi tranzistor, ki je bil osnova vsem ostalim, pa večina še vedno pozna kot »navadni tranzistor« ali tranzistor. In če bi se nekje pogovarjali o tranzistorjih, bi verjetno za vsako od naštetih kratic lahko našli izvor, za BJT bi se pa najbrž prej precej namučili, potem za se vprašali: »Kakšen je že Bipolar Junction Transistor…? Kakšen simbol že ima…?«.
Tokrat bomo torej govorili o bipolarnih tranzistorjih, vendar tega v tem prispevku ne bomo kar naprej omenjali, »tranzistor« bo čisto dovolj. Če bo govora o kakšnih »posebnih« tranzistorjih, jih bomo imenovali in prepoznali po njihovi kratici.
Opis tranzistorja in teorija
Tranzistor je osnovni element sodobnih elektronskih naprav in ga najdemo v radijskem sprejemniku, v mobilnem telefonu, računalniku, skratka povsod. Tranzistor se pogosto navaja kot eden od najpomembnejših odkritij 20. stoletja. Nekateri celo menijo, da je tehnologija izdelave polprevodnikov ena od najpomembnejših v človeški zgodovini.
Elektronika za začetnike – tranzistorji (3) 2009_SE168_43