Toshibin U-MOSX-H postopek zmanjšuje izgube in napetostne konice v energetskih aplikacijah.
Toshiba
Podjetje Toshiba Electronics Europe GmbH (»Toshiba«) je predstavilo nov 150 V N-kanalni močnostni MOSFET, ki uporablja najnovejšo generacijo U-MOSX-H procesa za znatno zmanjšanje izgub. Poleg tega so bile zmanjšane napetostnekonice med ponorom in virom med preklapljanjem, s čimer se je izboljšala EMI učinkovitost v stikalnih napajalnikih.
Nov tranzistor je primeren za široko paleto aplikacij, vključno s stikalnimi napajalniki v industrijski opremi, vključno z aplikacijami v komunikacijskih baznih postajah in podatkovnih centrih. Novi MOSFET TPH9R00CQH ima zelo nizko upornost kanala (RDS(ON)) le 9,0 mΩ (maks. pri VGS=10 V). To predstavlja približno 42-odstotno zmanjšanje v primerjavi z obstoječim 150-voltnim izdelkom (TPH1500CNH), ki temelji na postopku trenutne U-MOSVIII-H generacije. Ključne vrednosti zaslug (FoM), vključno z RDS(ON) x QSW in RDS(ON) x QOSS, so se zmanjšale za približno 20 % oziroma 28 %, s čimer se je zmogljivost še izboljšala.
S skrbno optimizacijo strukture tranzistorja so bile izboljšane lastnosti krmiljenja. S skupnim krmiljenjem vrat (Qg) le 44nC in krmiljenjem vrat stikala (QSW) 11,7nC tranzistor ponuja odlično zmogljivost, zlasti v aplikacijah z visoko hitrostjo.
Novi TPH9R00CQH ponuja dve možnosti ohišij za površinsko montažo (SMD) – SOP Advance (5,0 mm x 6,0 mm) in SOP Advance(N) (4,9 mm x 6,1 mm), ki ju lahko izberete tako, da ustreza potrebam katere koli aplikacije.
Tranzistor je že na voljo za dobavo.
Toshiba bo še naprej širila svojo linijo močnostnih MOSFET-ov, ki izboljšujejo učinkovitost napajalnikov z zmanjšanimi izgubami, da bi podprli zmanjšanje porabe energije v vseh vrstah opreme.
https://www.toshiba.eu
